記憶體控制晶片大廠慧榮 (SIMO.US) 總經理苟嘉章表示，AI 投資的重心正從訓練快速移至推論，進一步帶動記憶體與儲存需求同步成長。在供給端受限下，預期 DRAM 與 NAND Flash 供需吃緊情況短期難解，其中 NAND Flash 可能一路缺貨到 2028 年，下半年記憶體價格可望持續上揚。
苟嘉章指出，目前 DRAM 與 NAND Flash 市場均呈現缺貨，包括三星、SK hynix、美光等記憶體原廠產能相當緊繃，幾乎所有客戶需求都無法完全滿足。他形容，客戶若要 1 的量，原廠可能只能供應三分之一到五分之一，顯示市場現階段最重要的已不是價格，而是先確保有貨。
他表示，記憶體廠即使現在啟動擴產，也無法立即反映在供給上。從取得土地、建置無塵室、設備到位，到裝機、良率調校完成，真正形成有效產能至少需要 2 至 3 年，且設備交期往往長達 1 年至 1 年半，因此供需缺口短期內難以快速改善。
在價格走勢方面，苟嘉章認為，受缺貨支撐，今年下半年記憶體價格應會一路往上，但漲幅可能小於上半年。不過，記憶體價格高漲也可能影響產業均衡發展，部分手機與電腦廠已難以承受高昂成本，反而具備採購優勢的大型品牌，如蘋果 (Apple)，市占率有機會出現跳躍式成長。
針對 DRAM 市場，苟嘉章分析，DDR4 目前價格偏高，部分來自代理商操作與市場炒作，但由於南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW) 及力積電 (6770-TW) 等台系廠商仍持續供應 DDR4，供給並未完全消失；相較之下，DDR5 則呈現更明顯的結構性缺貨。隨著 AI 伺服器、GPU、HPC 與高效能運算平台全面升級至 DDR5，需求強度遠高於過去 PC 市場，預期 DDR5 缺貨將持續延續。
苟嘉章進一步指出，HBM 需求快速成長也排擠 DDR5 產能。由於 HBM 與 DRAM 的產值及獲利遠高於 NAND，記憶體原廠在有限資源下勢必優先投入 HBM 與 DRAM 領域；而 HBM 往更高堆疊數發展、良率提升過程中，也會消耗更多 DDR5 晶圓資源，進一步加劇高階記憶體供應吃緊。
他表示，目前 HBM4 已陸續推進，下半年 HBM4E 甚至可能開始量產，但良率提升仍需時間。談到 HBM 競爭態勢，苟嘉章認為，三星在 HBM4 具備技術與規模優勢，效能與功耗表現同步改善，有機會在下一代產品達成「彎道超車」。雖然目前 HBM 市場仍以 SK hynix 為主，但隨著輝達 (NVDA.US) 提高規格與標準，明年 HBM4 市場競爭將更為激烈。
苟嘉章也看好三星在 2027 年於 HBM4、GDDR7、LPDDR5X 與 DDR6 等領域重新取得領先地位。不過，他也指出，SK hynix 與美光仍會持續追趕，未來市場格局仍可能變動。
針對美光擴大 HBM 產能布局，苟嘉章表示，美光必須加速補強 HBM 產能，尤其在無塵室與後段封裝組裝能力上仍需擴充。HBM 並非無塵室完成後即可立即放量，後續仍需大量調校與良率提升，因此擴產進度與量產能力將成為競爭關鍵。
除 AI 伺服器外，車用市場也開始受到 AI 排擠效應影響。苟嘉章指出，車用記憶體過去需求量較小、驗證流程繁瑣，並非原廠優先供貨對象，但今年起部分車廠已明顯感受到供應壓力，部分原廠甚至寧可優先供貨給 AI 相關應用。
在中國記憶體產業方面，苟嘉章指出，長江存儲在缺乏高堆疊設備的情況下，透過國產設備與其他機台混合使用，仍取得不錯進展。長江存儲 2030 年是否能躍居全球 NAND Flash 龍頭，值得後續觀察。
不過，苟嘉章也提醒，AI 基礎建設投資熱潮仍存在反轉風險。他指出，北美雲端服務供應商 (CSP) 今年資本支出合計估達 7250 億美元，明年可能進一步增至 9000 億美元、甚至逼近 1 兆美元，屬於戰略型基礎建設投資，但這樣的高強度支出不可能長期維持。
他認為，市場普遍擔憂 2028 年至 2030 年間 AI 投資可能降溫，一旦大型 CSP 開始放緩投資腳步，記憶體需求恐怕不是緩慢下滑，而是可能出現大幅驟降，屆時庫存壓力將快速浮現。因此，記憶體供應商在享受 AI 需求紅利的同時，也必須提前為產能尋找新的出口與轉型方向。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網