<汇港通讯> 韩联社报道,南韩三星电子一名前研究员涉嫌向中国企业泄露晶片核心技术,被南韩检方逮捕起诉。
首尔中央地方检察厅情报技术犯罪侦查部表示,55岁的被告非法获取并使用三星电子斥资约1.6万亿韩圜研发的动态随机存取记忆晶片(DRAM)核心技术。
调查显示,被告与一名前三星电子部门主管一同跳槽至中国长鑫存储技术有限公司後,为长鑫牵头制定了非法转移三星核心技术及DRAM晶片研发计划。被告在6年间从长鑫获得总计约29亿韩圜(约1596万港元)的薪酬,其中包括3亿韩圜签约奖金和3亿韩圜股票期权。当局以违反《产业技术保护法》,向国外泄露国家核心技术等罪名予以逮捕起诉。 (WL)
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