10月22日|中信建投研報稱,隨着半導體產業更先進製程邁進,芯片尺寸縮小而功率激增,“熱點”問題突出,芯片表面温度過高會導致安全性和可靠性下降,催生對高效散熱方案的需求。金剛石是理想散熱材料,熱導率可達2000W/m K,是銅、銀的4—5倍,也是硅、碳化硅等半導體材料的數倍至數十倍,且兼具高帶隙、極高電流承載能力、優異機械強度與抗輻射性,在高功率密度、高温高壓等嚴苛場景中優勢顯著。其應用形式包括金剛石襯底、熱沉片及帶微通道的金剛石結構,可適配半導體器件、服務器GPU等核心散熱需求。在製備上,化學氣相沉積法(CVD)為主流,可生產單晶、多晶、納米金剛石,國內外企業已開發相關產品。伴隨算力需求提升與第三代半導體發展,未來金剛石在高端散熱市場空間廣闊。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 格隆匯